[发明专利]制造集成电路芯片的方法及集成电路结构

摘要

一种方法，将集成电路芯片的制造层级的第一组特征对准电子束对准目标并使用电子束光刻来形成第一组特征，以及将集成电路芯片的相同制造层级的第二组特征对准光学对准目标并使用光学光刻来形成第二组特征，电子束对准目标包括形成于基板中的高原子量层，光学对准目标形成于基板中，光学对准目标本身对准电子束对准目标。还提供一种电子束对准目标的形成方法及结构。

主权项

一种制造集成电路芯片的方法，包括：在半导体基板中的相关于所述集成电路芯片的平面布局的所述基板上的第一位置形成第一沟槽，其中所述第一沟槽自所述基板的顶表面延伸第一距离至所述基板中；用电子背散射材料填充所述第一沟槽；凹陷所述基板的顶表面下方的所述背散射材料；用介电帽盖层填充所述第一沟槽；在相关于所述集成电路芯片的所述平面布局的所述基板上的第二位置设置第二沟槽，及蚀刻所述第二沟槽至所述基板中，所述第二沟槽自所述基板的所述顶表面延伸第二距离至所述基板中，以及所述第一距离大于所述第二距离。