[发明专利]清洁装置及清洁方法、薄膜生长反应装置及生长方法有效

专利信息
申请号: 201110087164.9 申请日: 2011-04-07
公开(公告)号: CN102181844A 公开(公告)日: 2011-09-14
发明(设计)人: 姜银鑫;孙一军;杜志游 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;B08B9/087
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 201201 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于清洁薄膜生长反应腔的内表面的清洁装置,包括支撑单元、清洁单元、电机和电源供应装置。其中,清洁单元包括一面向所述反应腔的内表面的表面,所述表面上设置有若干刮擦部件;电机设置于所述支撑单元上,电机包括一驱动轴,所述驱动轴的一端与所述清洁单元相连接并带动其运动;电源供应装置,其与所述电机相连接。本发明的清洁装置提供了自动化程度高的、有效的、省时的清洁反应腔的内表面的方法,并保证每次清洁的质量和一致性。
搜索关键词: 清洁 装置 方法 薄膜 生长 反应
【主权项】:
一种用于清洁一薄膜生长反应腔的内表面的清洁装置,其特征在于,包括:支撑单元,其包括一支撑面;清洁单元,其包括一面向所述反应腔的内表面的表面,所述表面上设置有若干刮擦部件;电机,其设置于所述支撑单元上,所述电机包括一驱动轴,所述驱动轴的一端与所述清洁单元相连接并带动其运动;以及电源供应装置,其与所述电机相连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)有限公司,未经中微半导体设备(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110087164.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top