[发明专利]清洁装置及清洁方法、薄膜生长反应装置及生长方法有效
申请号: | 201110087164.9 | 申请日: | 2011-04-07 |
公开(公告)号: | CN102181844A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
发明(设计)人: | 姜银鑫;孙一军;杜志游 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;B08B9/087 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种用于清洁薄膜生长反应腔的内表面的清洁装置,包括支撑单元、清洁单元、电机和电源供应装置。其中,清洁单元包括一面向所述反应腔的内表面的表面,所述表面上设置有若干刮擦部件;电机设置于所述支撑单元上,电机包括一驱动轴,所述驱动轴的一端与所述清洁单元相连接并带动其运动;电源供应装置,其与所述电机相连接。本发明的清洁装置提供了自动化程度高的、有效的、省时的清洁反应腔的内表面的方法,并保证每次清洁的质量和一致性。 | ||
搜索关键词: | 清洁 装置 方法 薄膜 生长 反应 | ||
【主权项】:
一种用于清洁一薄膜生长反应腔的内表面的清洁装置,其特征在于,包括:支撑单元,其包括一支撑面;清洁单元,其包括一面向所述反应腔的内表面的表面,所述表面上设置有若干刮擦部件;电机,其设置于所述支撑单元上,所述电机包括一驱动轴,所述驱动轴的一端与所述清洁单元相连接并带动其运动;以及电源供应装置,其与所述电机相连接。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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