[发明专利]磁读取头有效
| 申请号： | 201110087187.X | 申请日： | 2011-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN102148038A | 公开（公告）日： | 2011-08-10 |
| 发明（设计）人： | 高凯中;X·彭;Z·王;Y·陈 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种磁读取头。在某些示例中，一种系统包括具有磁存储介质的数据存储部件，该磁存储介质具有在至少一条数据道上排列的多个磁比特畴，其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯曲。该系统还包括磁读取头，该磁读取头具有第一屏蔽层、第二屏蔽层以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传感器堆栈，其中磁性读取头根据读取重放灵敏度函数来感测多个磁比特畴的每一个的磁场。在某些示例中，屏蔽层和读取传感器堆栈被配置成提供与相应磁比特畴的形状基本对应的读取重放灵敏度函数。 | ||
| 搜索关键词： | 读取 | ||
【主权项】：
一种系统，包括：包括磁存储介质的数据存储部件，所述磁存储介质具有在至少一条数据道上排列的多个磁比特畴，其中相应磁比特畴之间的过渡边界定义过渡弯曲度；以及磁读取头，包括：第一屏蔽层；第二屏蔽层；以及靠近第一和第二屏蔽层设置的读取传感器堆栈，其中磁读取头根据读取重放灵敏度函数来感测多个磁比特畴的每一个的磁场，其中至少屏蔽层和读取传感器堆栈被配置为提供与相应磁比特畴的形状基本对应的读取重放灵敏度函数。
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