[发明专利]基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备无效
| 申请号： | 201110087336.2 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102168253A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 周钧 | 申请（专利权）人： | 周钧 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 | 代理人： | 郭春远 |
| 地址： | 355200 福建省漳州市漳州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征是：靶座(2)安装在腔体(1)外侧，靶座(2)内侧安装靶材(3)，在腔体(1)内有相对安装的靶材(3)之间的磁力线(8)穿过，腔体(1)内安装挡板机构(9)，腔体(1)内由挡板机构(9)分割形成的通道中在相应靶座(2)之间构成闭合或非闭合磁场。非平衡的闭合或非闭合磁场的布置形式可以由相向对面的或者单独的靶构成，在同一个真空腔体内的多组靶相互组合或者单独构成非平衡的磁场，也可以根据所沉积薄膜类型、种类、层数和最理想的微观结构自由的选择真空腔体内的多组靶，或者单对靶或单个靶独立的相互组合构成非平衡的磁场，从而实现在靶材表面磁场强度和方式的自由控制和布置。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 平衡 磁场 双通道 连续 磁控溅射 镀膜 设备 | ||
【主权项】：
基于非平衡磁场的双通道连续磁控溅射镀膜设备，其特征是：靶座(2)安装在腔体(1)外侧，靶座(2)内侧安装靶材(3)，在腔体(1)内有相对安装的靶材(3)之间的磁力线(8)穿过，腔体(1)内安装挡板机构(9)，腔体(1)内由挡板机构(9)分割形成的通道中在相应靶座(2)之间构成闭合或非闭合磁场。
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