[发明专利]提高NOR FLASH擦写寿命的方法有效

专利信息
申请号: 201110088074.1 申请日: 2011-04-08
公开(公告)号: CN102736981A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 甘景全;崔志民;张平;贺毅;杨大勇;李利 申请(专利权)人: 航天信息股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 代理人: 孙皓晨;朱世定
地址: 100195 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种提高NOR FLASH擦写寿命的方法,通过将4K物理地址映射为1K的逻辑地址,在对同一个逻辑地址进行写操作时,只有在第5次写操作中才涉及到对NOR FLASH的擦除操作,提升了写操作的速度,并将NOR FLASH的擦写操作寿命延长了4倍。
搜索关键词: 提高 nor flash 擦写 寿命 方法
【主权项】:
一种提高NOR FLASH擦写寿命的方法,其特征在于,包括以下步骤:S102,按照4K物理地址对应1K逻辑地址的原则,建立逻辑映射表T[m][n],将NOR FLASH的物理地址映射为逻辑地址,其中,m是逻辑地址页号,m的取值为0、1、2.....,n是有效数据的逻辑编号,T[m][n]的数值是有效数据存放的扇区号;S104,当进行逻辑写操作时,通过逻辑地址计算出m和n,查询逻辑映射表得到扇区编号,计算出物理地址并读出该物理地址的数据,并判断该数据是否为0xFFFF,若是,进入步骤S106,否则转入步骤S108;S106,将该数据写入该物理地址;S108,判断当前所在扇区是否为最后一个扇区,若当前所在扇区不是最后一个扇区,进入步骤S110,否则转入步骤S112;S110,将该数据写入当前所在扇区的下个扇区,并且更新逻辑映射表;S112,将所有m个扇区的有效数据都拷贝到内存中,擦除m个扇区的数据,再把有效数据从内存拷贝到第一个扇区,同时更新逻辑映射表。
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