[发明专利]大功率高频器件密勒寄生电容屏蔽结构无效
| 申请号： | 201110088160.2 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102184911A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张耀辉;余庭;赵一兵 | 申请（专利权）人： | 昆山华太电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大功率高频器件密勒寄生电容屏蔽结构，用于大功率LDMOS器件，所述LDMOS器件由分布在P-sink区域两边的两个互相对称的LDMOS结构构成，其特征在于：在LDMOS器件中设置有金属互连屏蔽结构，所述金属互连屏蔽结构为，在两个LDMOS结构的高掺杂源区上方，两个高掺杂源区、金属层一导线和金属层二导线通过层间通孔连接构成金属互连结构将栅极总线屏蔽起来。本发明使用金属互连结构来实现屏蔽，进一步降低了寄生密勒电容，提高了大功率高频器件的功率增益。 | ||
| 搜索关键词： | 大功率 高频 器件 寄生 电容 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
一种大功率高频器件密勒寄生电容屏蔽结构，用于大功率LDMOS器件，所述LDMOS器件由分布在P‑sink区域两边的两个互相对称的LDMOS结构构成，其特征在于：在LDMOS器件中设置有金属互连屏蔽结构，所述金属互连屏蔽结构为，在两个LDMOS结构的高掺杂源区上方，两个高掺杂源区、金属层一导线和金属层二导线通过层间通孔连接构成金属互连结构将栅极总线屏蔽起来。
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