[发明专利]超结功率晶体管结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种超结功率晶体管结构及制作方法。该结构包括：下电极、衬底、有源区、侧壁隔离结构、栅区、栅区的表面隔离结构、以及上电极。在有源区的靠近上电极一侧的下部设有侧壁隔离结构，可在体区下方设置与体区相同导电类型的缓冲区，也可以向下延伸上电极，在侧壁隔离结构的外侧形成场板，由于引入该缓冲区和电极场板，使得漂移区的掺杂浓度可以做得更高，从而可以有效的减小源漏导通电阻Rdson，提高器件性能，栅极实际覆盖面积小，能减小栅极电荷Qg和栅漏电荷Qgd，并且该结构的制作工艺简单，生产成本较低。

主权项

一种超结功率晶体管结构，其特征在于，该结构包括：漏极；第一导电类型衬底，位于所述漏极之上；有源区，位于所述第一导电类型衬底之上；其中，所述有源区由下至上包括第一导电类型漂移区、位于所述第一导电类型漂移区一侧上方的第一导电类型源区、以及位于所述第一导电类型源区与所述第一导电类型漂移区之间的第二导电类型体区；侧壁隔离结构，位于所述第一导电类型衬底之上，且与所述有源区的靠近第一导电类型源区的一侧接触；其中，所述侧壁隔离结构的高度低于所述有源区高度，使所述有源区上部的第一导电类型源区和第二导电类型体区的侧壁不被所述侧壁隔离结构遮挡；栅区，位于所述有源区的第二导电类型体区之上；表面隔离结构，覆盖于所述栅区表面，并将所述第一导电类型源区与所述第一导电类型漂移区的上表面覆盖；源极，覆盖于所述表面隔离结构表面，并从所述有源区的靠近第一导电类型源区的一侧向下伸入至所述侧壁隔离结构之上，同时与第一导电类型源区和第二导电类型体区电导通。