[发明专利]硅纳米线晶体管器件可编程阵列及其制备方法

摘要

本发明提供一种基于硅纳米线场效应晶体管的六边形可编程阵列及其制备方法，该阵列包括纳米线器件、纳米线器件连接区和栅连接区，所述纳米线器件呈圆柱形结构，包括硅纳米线沟道、栅介质层和栅区，栅介质层包裹硅纳米线沟道，栅区包裹栅介质层，纳米线器件以六边形排列构成一单元，纳米线器件连接区为3个纳米线器件之间的连接节点，纳米线器件连接区固定在一个硅支架上。本发明可实现复杂互联控制逻辑，适合应用于高速高集成度的数字/模拟电路，和数模混合电路。

主权项

一种基于硅纳米线场效应晶体管的六边形可编程阵列，其特征在于，包括纳米线器件、纳米线器件连接区和栅连接区，所述纳米线器件呈圆柱形结构，包括硅纳米线沟道、栅介质层和栅区，栅介质层包裹硅纳米线沟道，栅区包裹栅介质层，其中，硅纳米线沟道、栅介质层和栅区的长度取值一致，范围是5纳米～1微米，纳米线器件以六边形排列构成一编程单元，相邻编程单元之间共用一个公共的纳米线器件，每个编程单元的中间部分为镂空区，纳米线器件连接区为3个纳米线器件之间的连接节点，该纳米线器件连接区与纳米器件的沟道连接，同时作为纳米线器件的源或漏，纳米线器件连接区固定在一个硅支架上，栅连接区为纳米线器件的栅区提供连接，使多根纳米线器件形成共栅结构。