[发明专利]垂直式发光二极管结构及其制作方法

摘要

一种垂直式发光二极管结构，包括半导体堆叠层、绝缘阻障层以及金属堆叠层。半导体堆叠层包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，且主动层位于第一型半导体层与第二型半导体层之间。绝缘阻障层覆盖半导体堆叠层并具有开口，且开口暴露出半导体堆叠层。金属堆叠层堆叠于绝缘阻障层的开口内而与第二型半导体层实体连接。金属堆叠层包括欧姆接触层、反射层与导电阻障层，其中反射层位于欧姆接触层与导电阻障层之间，且欧姆接触层与第二型半导体层实体连接。一种垂直式发光二极管结构的制作方法亦被提出。本发明可有效地阻挡反射层的金属原子迁移，使垂直式发光二极管结构具有较佳的光电表现效益。

主权项

一种垂直式发光二极管结构，包括：半导体堆叠层，包括第一型半导体层、主动层与第二型半导体层，该主动层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间；绝缘阻障层，覆盖该半导体堆叠层并具有开口，且该开口暴露出该半导体堆叠层；以及金属堆叠层，堆叠于该绝缘阻障层的该开口内而与该第二型半导体层实体连接，且该金属堆叠层包括欧姆接触层、反射层与导电阻障层，其中该反射层位于该欧姆接触层与该导电阻障层之间，且该欧姆接触层与该第二型半导体层实体连接。