[发明专利]热电器件及其形成方法、感温传感器和热源图像传感器无效
| 申请号： | 201110090045.9 | 申请日： | 2011-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN102208523A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 朴永森;张汶圭;玄荣勋;全明心;田尚熏;郑泰亨 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/30;G01K7/02;H04N5/335;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种热电器件及其形成方法、感温传感器和热源图像传感器。该热电器件包括第一纳米线、第二纳米线、第一硅薄膜、第二硅薄膜和第三硅薄膜。第一纳米线和第二纳米线设置在基板上。第一纳米线和第二纳米线彼此分离。第一硅薄膜连接到第一纳米线的一端。第二硅薄膜连接到第二纳米线的一端。第三硅薄膜连接到第一和第二纳米线的另一端。第一和第二纳米线在平行于基板的上表面的方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 热电器件 及其 形成 方法 传感器 热源 图像传感器 | ||
【主权项】：
一种热电器件，包括：在基板上的第一纳米线和第二纳米线，所述第一纳米线和所述第二纳米线彼此分开；第一硅薄膜，连接到所述第一纳米线的一端；第二硅薄膜，连接到所述第二纳米线的一端；以及第三硅薄膜，连接到所述第一纳米线和所述第二纳米线的另一端，其中所述第一纳米线和所述第二纳米线在平行于所述基板的上表面的方向上延伸。
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