[发明专利]铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容及其制备方法无效
| 申请号： | 201110090141.3 | 申请日： | 2011-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN102184777A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 张联盟;王传彬;王君君;沈强;李凌 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01G4/33 | 分类号： | H01G4/33;H01G4/08;C23C14/35;C23C14/28 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容及其制备方法。铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容，其特征在于它由下电极层、BaTi2O5铁电薄膜层和上电极层组成，BaTi2O5铁电薄膜层位于下电极层与上电极层之间；下电极层为Pt/TiO2/SiO2/Si，Pt/Ti/SiO2/Si或Pt/MgO中的一种，采用磁控溅射方法逐层溅射制备；BaTi2O5铁电薄膜层采用脉冲激光沉积方法制备在下电极层上，BaTi2O5铁电薄膜为b轴择优取向，BaTi2O5铁电薄膜层的厚度230～510nm；上电极层的材料为Pt金属，采用磁控溅射方法制备在BaTi2O5铁电薄膜层上，上电极层的厚度为80～170nm。本发明与现有PZT和SBT薄膜电容相比，具有无铅环保、适用范围广(高居里温度)等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器用 bati sub 薄膜 电容 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
铁电存储器用的BaTi2O5薄膜电容，其特征在于它由下电极层、BaTi2O5铁电薄膜层和上电极层组成，BaTi2O5铁电薄膜层位于下电极层与上电极层之间；下电极层为Pt/TiO2/SiO2/Si，Pt/Ti/SiO2/Si或Pt/MgO中的一种，采用磁控溅射方法逐层溅射制备；BaTi2O5铁电薄膜层采用脉冲激光沉积方法制备在下电极层上，BaTi2O5铁电薄膜层的厚度230～510nm；上电极层的材料为Pt金属，采用磁控溅射方法制备在BaTi2O5铁电薄膜层上，上电极层的厚度为80～170nm。
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