[发明专利]双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的技术和装置有效
| 申请号： | 201110090331.5 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102732953B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李汶军;李根法 | 申请（专利权）人： | 李汶军;李根法 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体生长领域，具体涉及一种双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于，在碳化硅单晶的生长过程中两片碳化硅籽晶分别置于坩埚的上部和下部，位于低温区，碳化硅原料置于坩埚中部，位于高温区，它们在坩埚内的分布从下到上依次为坩埚底部、下籽晶、碳化硅原料、上籽晶和坩埚顶部。该技术在一个坩埚中能同时生长出两块碳化硅单晶，突破了一个生长炉只能生长一块碳化硅单晶的限制，降低碳化硅晶体的生长成本。 | ||
| 搜索关键词： | 籽晶 辅助 相传 方法 生长 碳化硅 技术 装置 | ||
【主权项】：
一种双籽晶辅助气相传输方法生长碳化硅单晶的方法，其特征在于：在碳化硅单晶的生长过程中两片碳化硅籽晶分别置于同一坩埚的上部和下部，位于低温区，碳化硅原料置于坩埚中部，位于高温区，它们在坩埚内的分布从下到上依次为坩埚底部、下籽晶、碳化硅原料、上籽晶和坩埚顶部，碳化硅原料与下籽晶之间存在一定间距，构成下生长空间，碳化硅原料与上籽晶之间存在一定间距，构成上生长空间，其中置于坩埚中部的碳化硅原料把上、下生长空间隔开，且上、下生长空间相互不通连，所述的碳化硅原料为碳化硅晶锭或者由置于碳化硅多晶圆柱体上的碳化硅粉末和碳化硅多晶圆柱体组成的混合原料。
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