[发明专利]一种超浅结形成方法无效
| 申请号： | 201110090549.0 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102738000A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超浅结形成方法，通过相对原子质量较大的In离子的大角度倾斜LDD离子注入，来取代Ge离子的垂直LDD离子注入，有效减少了EOR缺陷，改善了注入形成的非结晶层再结晶、TED效应和结漏电现象；同时，采用倾斜方式LDD离子注入，形成更靠近栅极底部的LDD源/漏延伸区，以此得到具有更长的有效沟道长度的超浅结，减小SCE效应，提高了MOS器件的电学特性，使得在超浅结工艺中制造更浅的源/漏区结深成为可能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超浅结 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种超浅结形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成栅极结构；以栅极结构为掩膜，以第一角度在所述半导体衬底中进行第一类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入，所述第一类离子包含相对原子质量比锗大的离子；以栅极结构为掩膜，以第二角度在所述半导体衬底中进行第二类离子轻掺杂源/漏区倾斜注入，所述第二角度比第一角度小；执行快速退火处理，形成超浅结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
