[发明专利]ONO结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201110090575.3 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102738220A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 蔡国辉;李鹏;汪小军 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28;H01L21/311;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种ONO结构的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有源区和浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构顶端高于所述有源区；在所述半导体衬底表面依次形成下层氧化层、中层氮化层、牺牲氧化层和阻隔层，覆盖所述源区和所述浅沟槽隔离结构；进行干法刻蚀工艺，停止于所述浅沟槽隔离结构顶端；去除所述阻隔层；沉积上层氧化层，从而形成ONO结构。本发明所述ONO结构形成于所述有源区上方以及所述浅沟槽隔离结构的侧壁，形成U字形结构，相比于现有平面的ONO结构，大大增加了同等线宽大小情况下ONO结构的面积，进而扩大了电荷存储区的面积，从而大大提高了存储能力。 | ||
| 搜索关键词： | ono 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种ONO结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中包括有源区和浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构顶端高于所述有源区的顶端；在所述半导体衬底表面依次形成下层氧化层、中层氮化层、牺牲氧化层和阻隔层；进行干法刻蚀工艺，停止于所述浅沟槽隔离结构顶端；去除所述阻隔层和牺牲氧化层；沉积上层氧化层，从而形成呈“U”形的ONO结构。
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