[发明专利]一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺有效
| 申请号： | 201110091874.9 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102315335A | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 李兆廷;李鹏;林宏达;王恩忠;甄雁卉 | 申请（专利权）人： | 东旭集团有限公司;成都泰轶斯太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 深圳市智科友专利商标事务所 44241 | 代理人： | 曲家彬 |
| 地址： | 050021 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，解决尽量减小死区面积、从而提高太阳能转换效率的技术问题，包括在衬底上制备导电膜层、第一次划刻、制备光伏吸收层、第二次划刻、制备背电极层、第三次划刻、以及清洗、检测、封装、检验、包装步骤，其中，进行第一次划刻的具体步骤是：用光刻机在导电膜层上制作划刻图案；再用干法刻蚀或湿法刻蚀按照划刻图案刻蚀出沟槽，并进行清洗。本发明的优点是用光刻和腐蚀相结合的方式进行划刻，相比激光划刻减小了线宽，进一步减小了死区面积，同时提高了光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 薄膜 太阳能电池 死区 面积 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种减少薄膜太阳能电池死区面积的制备工艺，包括在衬底上制备导电膜层、第一次划刻、制备光伏吸收层、第二次划刻、制备背电极层、第三次划刻、以及清洗、检测、封装、检验、包装步骤，其特征在于：进行第一次划刻的具体步骤是：a、用光刻机在导电膜层上制作划刻图案；b、用干法刻蚀或湿法刻蚀按照划刻图案刻蚀出沟槽，并进行清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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