[发明专利]提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法

摘要

提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法，解决了p-i-n光伏层中P层和I层之间由于硼污染造成的电流、电压损失、从而降低P型层和I型层界面性能的技术问题，采用的技术方案是，以上方法是在制备非晶硅太阳能电池光伏吸收层的工艺中实现的，所说的工艺包括在透明导电基板上依次制备P型薄膜层、I型窗口层、N型薄膜层，其关键在于，增加了制备P型薄膜层与I型窗口层之间的双层缓冲膜的工序。本发明在通过在P型层和I型窗口层之间增设双层缓冲膜，阻挡了P型层掺杂的三价硼元素对本征型I层的污染，解决了P型层和I型窗口层之间电量流失严重的问题，从而提高了非晶硅太阳电池转化效率，降低光致衰退效应，节约能源。

主权项

提高非晶硅太阳能电池中P型层和I型层界面性能的方法，以上方法是在制备非晶硅太阳能电池光伏吸收层的工艺中实现的，工艺包括在透明导电基板上依次制备P型薄膜层、I型窗口层、N型薄膜层的步骤，其特征在于：制备光伏吸收层的工艺时、在透明导电基板上制备完成P型薄膜层步骤之后，增加了制备P型薄膜层与I型窗口层之间的双层缓冲膜的工序，以上工序的具体步骤包括：A、在化学气相沉积腔室内，在透明导电基板上制备P型薄膜层后，控制基板温度为180～220℃、沉积腔室内的真空度高于1×10‑5Pa；B、在室温条件下，在混气室中将CH4、SiH4、H2按如下体积百分比混合后充入沉积腔室内：H2含量为91～93％、SiH4含量5～7％、CH4含量为2～3％；C、控制沉积腔室内沉积压力为50～130pa、沉积温度为180～220℃、射频功率密度为0.02W/cm2～0.07W/cm2；D、在以上沉积氛围中沉积30～60s后，在P型薄膜上沉积出第一层缓冲膜；E、在室温条件下，在混气室中将CH4、SiH4、H2按如下体积百分比混合后充入沉积腔室内：H2含量为89～91％、SiH4含量7～9％、CH4含量为1～2％；F、保持沉积氛围不变、沉积30～60s后，在第一缓冲层上沉积出第二层缓冲膜；G、双层缓冲膜形成后按照非晶硅太阳能电池光伏吸收层制作的常规工艺继续完成后道工序。