[发明专利]双面超导带材缓冲层的连续制备方法无效
申请号: | 201110091978.X | 申请日: | 2011-04-13 |
公开(公告)号: | CN102255040A | 公开(公告)日: | 2011-11-23 |
发明(设计)人: | 李言荣;陶伯万;熊杰;夏钰东;张飞;赵晓辉 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L39/24 | 分类号: | H01L39/24;C23C14/34;C23C14/08 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人: | 刘勋 |
地址: | 610000 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 双面超导带材缓冲层的连续制备方法,属于超导材料技术领域。本发明包括下述步骤:1)将基带安装在两个转盘之间;2)将金属钇靶分别安置在对靶上,两个转盘之间的基带平面的法线与相对的对靶上的金属钇靶连线垂直;3)将生长室(9)抽背底真空至5.0×10-4Pa以下,对基带进行加热,使温度保持在600℃~660℃,向生长室内充入氩氢混合气体,并保持2~3Pa,再充入1.2×10-3到2.5×10-3Pa的水蒸气;4)步进电机通过第一转盘或者第二转盘带动基带匀速运动;5)开启辉光,溅射金属钇靶材,在基片上沉积Y2O3薄膜;6)关闭溅射。本发明采用离轴溅射,基带与靶材成90度夹角,提高了双面缓冲层面内外织构。 | ||
搜索关键词: | 双面 超导 缓冲 连续 制备 方法 | ||
【主权项】:
双面超导带材缓冲层的连续制备方法,其特征在于,包括下述步骤:1)将含钨5%的镍基合金双轴织构基带安装在第一转盘(1)和第二转盘(8)之间;2)将金属钇靶分别安置在对靶(4)上,两个转盘之间的基带平面的法线与相对的对靶(4)上的金属钇靶连线垂直;3)将生长室(9)抽背底真空至5.0×10‑4Pa以下,对基带(2)进行加热,使温度最终保持在600℃~660℃,向生长室(9)内充入氩氢混合气体,并使生长室(9)内保持2~3Pa氩氢混合气体,再充入1.2×10‑3到2.5×10‑3Pa的水蒸气;4)步进电机通过第一转盘(1)或者第二转盘(8)带动基带匀速运动;5)开启辉光(5),溅射金属钇靶材,在基片上沉积Y2O3薄膜;6)关闭溅射,停止对基片加热,得到制得的Y2O3薄膜。
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