[发明专利]导电柱结构有效
| 申请号： | 201110092051.8 | 申请日： | 2011-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102456647A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;郑明达;吕文雄;周孟纬;郭宏瑞;刘重希 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;高雪琴 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的凸块结构。半导体器件的示例性结构包括衬底；在衬底上延伸的、在接触焊盘上具有开口的钝化层；和在钝化层的开口上方的导电柱，其中，导电柱包括与衬底基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体器件包括：衬底；接触焊盘，所述接触焊盘位于所述衬底上方；钝化层，所述钝化层在所述衬底上方延伸，并且具有在所述接触焊盘上方的开口；以及导电柱，所述导电柱在所述钝化层的所述开口上方，其中，所述导电柱包括与所述衬底的表面基本垂直的上部和具有锥形侧壁的下部。
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