[发明专利]一种氮化物发光二极管结构无效
| 申请号： | 201110092100.8 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102738315A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 李志翔;吴东海 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种氮化物发光二极管结构，涉及光电技术领域。本发明包括衬底、形成于衬底上的低温缓冲层和发光半导体结构。所述发光半导体结构包括N型半导体层、发光层和P型半导体层，P型半导体层的上方为透明导电层。透明导电层上的一端置有P型电极，N型氮化镓层上、与P型电极相对的另一端置有N型电极。其结构特点是，所述低温缓冲层和N型半导体层之间不设置非掺杂化合物半导体层。本发明的外延结构中不设置非掺杂化合物半导体层，使器件的厚度大大降低，减小了外延片产生翘曲的几率，提高了外延片的良率，并能有效提高外延片的生长效率，提高设备的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种氮化物发光二极管结构，它包括衬底(20)、形成于衬底(20)上的低温缓冲层(21)和发光半导体结构，所述发光半导体结构包括N型半导体层(22)、发光层(23)和P型半导体层(24)，P型半导体层(24)的上方为透明导电层(25)，透明导电层(25)上的一端置有P型电极(262)，N型氮化镓层(22)上、与P型电极(262)相对的另一端置有N型电极(261)；其特征在于，所述低温缓冲层(21)和N型半导体层(22)之间不设置非掺杂化合物半导体层。
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