[发明专利]Co-P薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201110092400.6 | 申请日： | 2011-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102181897A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李亮亮;蔡坚;李燕秋 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C25D5/18 | 分类号： | C25D5/18;C25D5/20;C25D3/56 |
| 代理公司： | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人： | 张良 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种Co-P薄膜的制备方法，首先，制备电解液、钴片和基片；其次，多相脉冲电源的阳极与所述钴片相连接，多相脉冲电源的阴极与所述基片相连接，所述钴片和基片浸没在所述电解液中；最后，将含有所述钴片和基片的所述电解液放置在超声波振动器中，用所述超声波振动器和多相脉冲电源进行电镀。制备出的Co-P薄膜粘附性很强，并可广泛应用于具有不同结构和不同P含量的Co-P薄膜的制备。 | ||
| 搜索关键词： | co 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种Co‑P薄膜的制备方法，包括：分别制备电解液、钴片和基片；将多相脉冲电源的阳极与所述钴片连接，将多相脉冲电源的阴极与所述基片相连接，将所述钴片和基片浸没在所述电解液中；将含有所述钴片和基片的所述电解液放置在超声波振动器中，用所述超声波振动器和多相脉冲电源进行电镀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学，未经清华大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110092400.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
