[发明专利]一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法

摘要

本发明公开了一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法，本发明技术方案的要点在于采用如下步骤：(1)制备测试单晶；(2)将测试单晶加工成测试样品，并对其进行电阻率测试；(3)如果样品电阻率测试不满足要求，则计算掺杂合金质量，进行二次掺杂；(4)掺杂完毕后，再次制备测试单晶，并对测试样品进行电阻率测试，如不满足要求，可进行三次或四次重复掺杂，直至电阻率满足要求。通过实施该方法，可精确控制成品单晶电阻率，成品硅单晶电阻率与目标电阻率偏差控制在1-3Ω.cm范围内，成品硅单晶合格率提高8%，成本降低约20%。

主权项

一种控制直拉硅单晶头部电阻率的方法，其特征是包括如下步骤：步骤一.原料全部熔化完毕后，进行测试硅单晶的拉制；步骤二.测试硅单晶拉制完毕后，取出测试硅单晶，将测试硅单晶圆柱面部分加工成平面，得到测试样品；步骤三.之后，用四探针电阻率测试仪对测试样品的平面部分进行电阻率测量，并记录电阻率测试值；步骤四.比较测试样品的电阻率测试值与硅单晶目标电阻率值，计算测试样品的电阻率测试值与硅单晶目标电阻率的差值，如果测试样品的电阻率测试值比硅单晶目标电阻率值≥5Ω.cm，则进行以下步骤的操作，否则测试样品的电阻率测试值满足硅单晶目标电阻率要求，直接进行正常拉晶操作；步骤五.根据测试样品的电阻率测试值与硅单晶目标电阻率值的差值，计算所需掺杂合金质量；步骤六.将计算出一定质量的掺杂合金掺入硅熔体中；步骤七.掺杂合金完全熔化混合均匀后，重复进行步骤一至步骤三，并再次计算测试样品的电阻率测试值与硅单晶目标电阻率值的差值；步骤八.如果第二次计算所得测试样品的电阻率测试值比硅单晶目标电阻率值≥5Ω.cm，则重复进行步骤五至步骤七，直至测试样品的电阻率测试值比硅单晶目标电阻率值＜5Ω.cm，则停止掺杂，测试样品的电阻率满足硅单晶目标电阻率要求，即完成硅单晶头部电阻率的控制。