[发明专利]一种氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110094054.5 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102181831A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;乔振聪;程轲;程纲 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 475001*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于低维纳米材料制备和纳米技术应用领域，特别涉及一种氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法。采用磁控溅射法在FTO基底上溅射金属铜薄膜，然后将制好的薄膜在大气气氛下退火即得所述的氧化铜纳米线阵列薄膜。本发明制备方法可控性好、制备灵活、不限于衬底材料，便于在工业中形成规模化生产，也在较大程度上拓展了纳米线阵列薄膜的应用领域和范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化铜 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化铜纳米线阵列薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射法在基底上溅射金属铜薄膜，然后将制好的薄膜在大气气氛下退火即得所述的氧化铜纳米线阵列薄膜。
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