[发明专利]一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110094279.0 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102181893A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 杜祖亮;王信春;王广君;张兴堂 | 申请（专利权）人： | 河南大学 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D5/50 |
| 代理公司： | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人： | 刘建芳 |
| 地址： | 47500*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法：在含有铜、铟、硒离子的电解液中，室温下先将电解液pH值调至1.0—2.5，然后在阴极基底上电沉积制得铜铟硒预制膜，晾干后，把预制膜放在有固态硒源的真空或惰性气体氛围下进行退火处理后，即得铜铟硒薄膜。该方法条件温和、操作简便、成本低廉，制得的薄膜具有良好的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 调节 ph 沉积 制备 cuinse sub 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种利用调节pH值电沉积制备富铟CuInSe2薄膜的方法，其特征在于：在含有铜、铟、硒离子的电解液中，室温下先将电解液pH值调至1.0—2.5，然后在阴极基底上电沉积制得铜铟硒预制膜，晾干后，把预制膜放在有固态硒源的真空或惰性气体氛围下进行退火处理后，即得铜铟硒薄膜。
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