[发明专利]掺杂单元、掺杂晶片、掺杂方法、太阳能电池及制作方法

摘要

本发明公开了一种掺杂单元，包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域；形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域；形成于该N型重掺杂区域周围的N型轻掺杂区域；该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域以及该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触，该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触，其中所述P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明中P型重掺杂区域与N型重掺杂区域之间具有N型基底材料、P型轻掺杂区域和N型轻掺杂区域作为缓冲层，使得PN结之间不会因为耗尽层太薄而导致被击穿，由此形成的P+/P-/N/N-/N+结构的PN结使得载流子的迁移更均匀，速率更稳定，由此提高了该掺杂晶片的使用寿命。

主权项

一种掺杂单元，其特征在于，该掺杂单元包括：一N型基底；形成于该N型基底背面中的P型重掺杂区域以及N型重掺杂区域；形成于该P型重掺杂区域周围的P型轻掺杂区域；形成于该N型重掺杂区域周围的N型轻掺杂区域；其中，该P型重掺杂区域与该N型重掺杂区域互不接触，该P型重掺杂区域该N型轻掺杂区域互不接触，以及该N型重掺杂区域与该P型轻掺杂区域互不接触，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。