[发明专利]附带接合膜的基板以及附带接合膜的基板的制造方法无效
| 申请号： | 201110096282.6 | 申请日： | 2011-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102259445A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 松崎文武;宫原充;上原健彦 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/04 | 分类号： | B32B9/04;B32B7/12;G02B5/20;G02B5/30;C09J7/02 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 朱梅;刘晔 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种附带接合膜的基板及其制造方法，即使对主成分不为二氧化硅(SiO2)、或者不以硅基为骨架的基板，也能够在接合这些基板时，或者在接合该基板与主成分为二氧化硅(SiO2)、或者以硅基为骨架的基板时，实现可靠的接合。附带接合膜的基板具备：IR吸收玻璃构件(2)，其主成分不为二氧化硅、或者不以硅基为骨架；氧化硅膜(6)，其通过气相沉积法而被邻接设置于IR吸收玻璃构件(2)的表面上；接合膜(7)，其通过等离子聚合法而被设置于氧化硅膜(6)上，其中，氧化硅膜(6)的膜厚为100nm以上2000nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 附带 接合 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种附带接合膜的基板，其特征在于，具备：基板，其主成分不为二氧化硅、或者不以硅基为骨架；氧化硅膜，其通过气相沉积法而被邻接设置于该基板的表面上；接合膜，其通过等离子聚合法而设置，所述接合膜包括：硅骨架，其含有硅氧烷(Si‑O)键，且结晶度为45％以下；脱离基，其结合于该硅骨架，其中，所述脱离基由有机基构成，所述接合膜为，当向其至少一部分区域供给能量时，通过存在于所述接合膜的表面附近的所述脱离基从所述硅骨架脱离，从而在所述接合膜的表面的所述区域上，产生所述基板与粘附物的粘合性，所述氧化硅膜的膜厚为，100nm以上2000nm以下。
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