[发明专利]涂硼中子探测器及其制造方法有效
申请号: | 201110096455.4 | 申请日: | 2011-04-18 |
公开(公告)号: | CN102749641A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
发明(设计)人: | 赵自然;王永强;陈志强;张清军;李元景;刘以农;毛绍基;姚楠;董淑强 | 申请(专利权)人: | 同方威视技术股份有限公司;清华大学 |
主分类号: | G01T3/00 | 分类号: | G01T3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周春梅;谭祐祥 |
地址: | 100084 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种涂硼中子探测器,该涂硼中子探测器包括:阴极管,其内部沿纵向形成多个通道,每个通道的内壁都涂有硼材料;电极丝,充当阳极,其被纵向地布置在每个所述通道内,该电极丝适于被施加高压;以及绝缘端板,所述阴极管的每一端都固定有所述绝缘端板,所述电极丝通过所述绝缘端板与所述阴极管固定在一起。优选,阴极管由多个涂有硼材料的基板拼接形成。该涂硼中子探测器通过阴极管内设置多个内壁涂有硼材料的通道,不仅提高了中子探测器的探测效率,使其能够达到甚至超过相同尺寸的3He中子探测器的探测效率,而且价格要比3He中子探测器便宜得多。 | ||
搜索关键词: | 中子 探测器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种涂硼中子探测器,其包括:阴极管,其内部沿纵向形成多个通道,每个通道的内壁都涂有硼材料;电极丝,充当阳极,其被纵向地布置在每个所述通道内,该电极丝适于被施加高压;以及绝缘端板,所述阴极管的每一端都固定有所述绝缘端板,所述电极丝通过所述绝缘端板与所述阴极管固定在一起。
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