[发明专利]LED芯片及其制备方法无效
| 申请号： | 201110096563.1 | 申请日： | 2011-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN102751431A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 房力 | 申请（专利权）人： | 北京地调科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 100025 北京市朝阳区石*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括：一导电载片，用于作为所述LED芯片的金属衬底；一N型接触电极，位于所述导电载片之上；一Ag基底层，位于所述N型接触电极之上；一P型接触电极，位于所述Ag基底层之上的一开槽中；一P型GaN基半导体层，位于所述Ag基底层之上；一N型GaN基半导体层，位于所述P型GaN基半导体层之上，所述N型接触电极通过所述P型GaN基半导体层的贯通孔与所述N型GaN基半导体层电气连接。本发明实施例可以使LED芯片电流分布更均匀，并提高光效。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：一导电载片，用于作为所述LED芯片的金属衬底；一N型接触电极，位于所述导电载片之上；一Ag基底层，位于所述N型接触电极之上；一P型接触电极，位于所述Ag基底层之上的一开槽中；一P型GaN基半导体层，位于所述Ag基底层之上；一N型GaN基半导体层，位于所述P型GaN基半导体层之上，所述N型接触电极通过所述P型GaN基半导体层的贯通孔与所述N型GaN基半导体层电气连接。
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