[发明专利]氮化物系半导体晶片以及氮化物系半导体装置有效
| 申请号： | 201110097172.1 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102222690B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 土屋忠严 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/00 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 金鲜英,刘强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于稳定地提供具有有着高的绝缘性的氮化物系半导体层的氮化物系半导体晶片以及氮化物系半导体装置。本发明的课题的解决方案为，在绝缘性基板上，具有电阻率为10MΩcm以上100MΩcm以下、膜厚为0.1μm以上1.5μm以下的半绝缘性氮化物系半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 晶片 以及 装置 | ||
【主权项】：
氮化物系半导体晶片，其在绝缘性基板上具有缓冲层、紧接着位于所述缓冲层上的一层半绝缘性氮化物系半导体层、紧接着位于所述半绝缘性氮化物系半导体层上的沟道层、以及电子供给层，所述半绝缘性氮化物系半导体层的电阻率为10MΩcm以上100MΩcm以下、膜厚为0.1μm以上且小于1μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友化学株式会社，未经住友化学株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110097172.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
