[发明专利]一种基于氧化铝模板的单晶金属纳米线阵列的制备方法有效
| 申请号： | 201110097428.9 | 申请日： | 2011-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN102732963A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈乾旺;李牣 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/52;C30B7/14;C30B30/04;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王旭 |
| 地址： | 230026*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 一种高度有序的单晶金属纳米线阵列的制备方法，在有或无磁场诱导下利用氧化铝模板底层残留的铝还原电极电位高于铝的金属的盐溶液，当在磁场诱导时在较低温度(120-180℃)的溶剂热条件下合成单晶金属纳米线阵列。该方法的优点是：工艺简单、绿色环保。该单晶金属纳米线阵列的优点在于：高度有序、直径和周期可控、良好的磁各向异性；良好的磁各向异性使得此纳米阵列在高密度磁存储介质材料方面有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氧化铝 模板 金属 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶金属纳米线阵列的制备方法，包括下列步骤：1)去除氧化铝模板的阻碍层；2)用对金属盐液惰性的遮挡材料遮挡步骤1)中获得的去除阻碍层的氧化铝模板的铝基底；3)将步骤2)中获得的用所述遮挡材料遮挡铝基底的氧化铝模板放入反应釜中浸没在所述氧化铝模板的金属盐液中，密封并升温至100℃以上，并且在高于100℃的温度下保温不少于10小时；其中所述金属为金属活动性在铝之后的金属或它们中任意两种以上形成的合金，所述金属盐液为对应于所述金属或合金的易溶盐。
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