[发明专利]发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统有效
| 申请号： | 201110097726.8 | 申请日： | 2011-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN102222740A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 金省均;林祐湜;金明洙 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 夏凯;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：发光结构层，该发光结构层包括第一导电类型半导体层、在第一导电类型半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电类型半导体层；第一光提取结构，该第一光提取结构形成在第一导电类型半导体层的外部上并且具有形成为台阶结构的多个上表面和多个侧表面；以及在第一导电类型半导体层的第一光提取结构上的透射层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制造 方法 封装 以及 照明 系统 | ||
【主权项】：
一种发光器件，包括：发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的有源层、以及在所述有源层上的第二导电类型半导体层；第一光提取结构，所述第一光提取结构设置在所述第一导电类型半导体层的外侧上并且包括形成为台阶结构的多个上表面和多个侧表面；以及透射层，所述透射层在所述第一导电类型半导体层的第一光提取结构上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司，未经LG伊诺特有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110097726.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：端面角度T槽刀具
- 下一篇：半导体裸片及形成导电元件的方法
