[发明专利]抛光方法以及栅极的形成方法有效
| 申请号： | 201110099722.3 | 申请日： | 2011-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102751187A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;黎铭琦 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;C09G1/18;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种抛光方法和栅极的形成方法，所述栅极的形成方法包括：在半导体衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构包括牺牲氧化层以及覆盖所述牺牲氧化层的多晶硅层；在所述伪栅结构周围形成侧墙；依次形成氮化硅层和覆盖所述氮化硅层的介质层，所述氮化硅层覆盖所述多晶硅层、侧墙和衬底；对所述介质层抛光直至暴露出所述氮化硅层；在固结磨料抛光垫上抛光所述氮化硅层且停止于所述多晶硅层，抛光液中具有阴离子表面活性剂或两性离子表面活性剂，所述抛光液的PH值为10.5～11；去除所述伪栅结构后形成开口；在所述开口中形成栅极结构。所述抛光方法能够改善在固结磨料抛光垫上对氮化硅层进行抛光且停止于多晶硅层时产生的凹陷和过抛问题。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 以及 栅极 形成 | ||
【主权项】：
一种抛光方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上形成有多晶硅层和覆盖所述多晶硅层的氮化硅层，在固结磨料抛光垫上对所述氮化硅层进行抛光操作，停止于所述多晶硅层，其特征在于，所述抛光操作采用的抛光液的PH值为10.5～11，所述抛光液中具有阴离子表面活性剂或两性离子表面活性剂。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
