[发明专利]一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备

摘要

本发明公开了一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备。设备包括连续式真空室、气路控制系统、电控系统、加热系统、激光系统、抽气系统。其中真空腔室1为进片腔室，腔室3为出片腔室，进出片室装有可手动开关装下片的真空门，进片室设有对基片加热的预热系统。腔室2为激光掺杂真空室，具有可透过玻璃窗垂直射到硅片上的激光系统。真空室之间以高真空阀门相联接，并具有可独立无级调速的传动系统。真空机组由机械泵组、废气处理装置、阀门及管道系统等组成。电控系统的PLC控制器控制气体的压强、加热温度、传动系统。本发明可实现激光制备超浅结新技术的量化生产应用，可操作性强。

主权项

一种在晶体硅表面以激光制备超浅结的设备，包括连续式真空室、气路控制系统，电控系统、真空抽气系统、激光系统等，其特征在于连续式真空室为三室，将进片、出片、掺杂三个工艺环节分离开来；激光系统位于激光掺杂真空室正上方，可透过玻璃窗对晶硅片进行激光加热；分段可独立无级调速的传动系统，适应各段工艺不同的传送速度。