[发明专利]一种高压交流LED晶片模块制作方法有效
| 申请号： | 201110100084.2 | 申请日： | 2011-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102751395A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;陈立人;叶国光;梁伏波;杨小东;曹东兴 | 申请（专利权）人： | 广东银雨芯片半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L27/15 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 曾旻辉 |
| 地址： | 529700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压交流LED晶片模块制作方法，首先在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；在的外延生长区生长出半导体层；去除隔离墙形成隔离区，通过隔离区形成多颗的LED晶粒；在每颗LED晶粒的表面局部形成凹形台面，使部分N型半导体层露出凹形台面；半导体层表面及隔离区沉积保护层；蚀刻保护层形成安装区并制作P/N电极，通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片模块；将外延片切割、研磨、精抛光；最后采用裂片机将每块LED晶片模块进行裂片。本发明制造工艺具有易量产的特点，同时，采用本发明制造工艺制造出来的产品还具有良率高、成本低及使用寿命长的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 交流 led 晶片 模块 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压交流LED晶片模块制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(a)在衬底上沉积绝缘层，利用蚀刻工艺在衬底上形成外延生长区和由绝缘层形成的隔离墙；(b)在步骤(a)的外延生长区生长出半导体层，所述半导体层包括N型半导体层、发光层和P型半导体层；(c)去除步骤(a)的隔离墙形成隔离区，衬底表面通过隔离区形成多颗的LED晶粒；(d)在每颗LED晶粒的表面局部形成凹形台面，使部分N型半导体层露出凹形台面；(e)在半导体层表面及隔离区沉积保护层；(f)蚀刻步骤(e)的保护层形成P电极安装区及N电极安装区，在P电极安装区制作P电极，在N电极安装区制作N电极，通过导电线路连接形成串联或/和并联的LED晶片模块；(g)将外延片切割、研磨、精抛光；(h)采用裂片机将每块LED晶片模块进行裂片。
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