[发明专利]一种耐高温碳化硅的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110100283.3 申请日: 2011-04-21
公开(公告)号: CN102249235A 公开(公告)日: 2011-11-23
发明(设计)人: 王一光;孙静;成来飞;张立同 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种耐高温碳化硅的制备方法,技术特征在于步骤为:将液态聚碳硅烷和有机金属盐混合均匀,交联固化,球磨,经900-1100℃裂解,1600-1850℃高温热处理,得到含微量金属元素的结晶态碳化硅。本发明合成的碳化硅高温氧化得到的SiO2保护膜为含微量金属元素的SiO2固熔体。微量的金属元素降低了SiO2的活度,提高了碳化硅主被动氧化的转换温度,从而提高了碳化硅的使用温度。与现有技术相比,本发明通过碳化硅中引入微量的金属元素,将碳化硅的使用温度从1700℃提高到1800-1850℃,而且制备工艺所使用的设备简单,安全可靠,易于控制,便于大规模生产。
搜索关键词: 一种 耐高温 碳化硅 制备 方法
【主权项】:
一种耐高温碳化硅的制备方法,其特征在于所用原料的质量百分比为:液态聚碳硅烷80~95%,有机金属盐中的一种或几种5~20%,制备步骤如下:步骤1:将有机金属盐中的一种或几种加入液态聚碳硅烷中,置于磁力搅拌器上进行搅拌,时间为3~5小时,温度为60~90℃;步骤2:将混合均匀的原料放入交联裂解炉中,先抽真空到‑0.09MPa,再充氩气到0MPa,并保持氩气流通,流速为50~80ml/min,以0.5~1.5℃/min的升温速率依次升至200℃,400℃和900‑1100℃,分别保温4小时,交联裂解结束;步骤3:将交联裂解得到的固体物进行球磨,时间为2~4小时,转速为1200周/分;步骤4:将上述球磨得到的陶瓷粉体放入高温热处理炉中进行热处理,先抽真空到‑0.09MPa,再充氩气到0MPa,并保持氩气流通,流速为30~60ml/min,以20℃/min的升温速度均匀升温,升至1400℃时,以5℃/min的升温速度均匀升温,在1600‑1850℃保温热处理1~2小时,得到改性的SiC粉体。
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