[发明专利]光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法有效
| 申请号： | 201110101343.3 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102219222A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 何寿林;罗全安 | 申请（专利权）人： | 武汉新硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 邓寅杰 |
| 地址： | 436070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法。光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法，包括以下步骤：步骤1、将含SiCl4的重量百分数为80～95％的工业级SiCl4原料先进入脱轻组分塔中脱掉轻；步骤2、将步骤1得到的塔釜采出物进入脱重组分塔，脱掉重组分；步骤3、将步骤2得到的塔顶采出物采出即得光纤用普通级SiCl4，剩余的塔顶采出物继续进入减压精馏塔，进一步分离出难分离的轻组分，侧线采出光纤用高纯级SiCl4。该方法原料范围广，可回收利用多晶硅生产中的副产物；能够连续稳定生产满足光纤要求用的普通级和高纯级SiCl4；适合大规模工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 光纤 高纯 氯化 连续 精馏 方法 | ||
【主权项】：
光纤用高纯四氯化硅连续精馏方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤11)、将含SiCl4的重量百分数为80～95％的工业级SiCl4原料先进入脱轻组分塔中脱掉轻组分三氯氢硅和原料中存在的共沸物；步骤12)、将步骤11)得到的塔釜采出物进入脱重组分塔，脱掉重组分；步骤13)、将步骤12)得到的塔顶采出物采出即得光纤用普通级SiCl4产品，剩余的塔顶采出物继续进入减压精馏塔，进一步分离出难分离的轻组分，侧线采出光纤用高纯级SiCl4产品；所述的脱轻组分塔为常压操作塔，理论级为150，釜温为60～90℃，顶温为58～60℃，回流比为10～30∶1；所述的脱重组分塔为常压操作塔，理论级为150，釜温为60～80℃；顶温为57～58℃，回流比为10～30∶1；所述的减压精馏塔为减压塔，压力为0.095～0.098MP，理论级为100，釜温为45～65℃，顶温为35～50℃，回流比为10～20∶1。
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