[发明专利]半导体封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体封装结构及其制造方法。该制造方法包括，提供平板、第一导电层及第二导电层，其中第一导电层配置在平板上，第二导电层配置在第一导电层上，而第二导电层与第一导电层之间的结合强度小于第一导电层与平板之间的结合强度。形成介电层在平板及第二导电层上。形成线路结构在介电层上。安装至少一芯片至线路结构。安装支撑层至线路结构，支撑层为含有玻纤的树脂叠层，而支撑层包覆芯片。接着施力解除第一导电层及第二导电层之间的结合后，可再进行其他后续步骤。

主权项

一种半导体封装结构制作方法，包括：提供平板、第一导电层及第二导电层，其中该第一导电层配置在该平板上，该第二导电层配置在该第一导电层上，而该第二导电层与该第一导电层之间的结合强度小于该第一导电层与该平板之间的结合强度；形成介电层在该平板及该第二导电层上；形成线路结构在该介电层上；安装至少一芯片至该线路结构；安装支撑层至该线路结构，该支撑层为含有玻纤的树脂叠层，而该支撑层包覆该芯片；以及通过施力解除该第一导电层与该第二导电层之间的结合，分离该第一导电层及该第二导电层。