[发明专利]发光器件的制造方法无效
| 申请号： | 201110101866.8 | 申请日： | 2006-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102290535A | 公开（公告）日： | 2011-12-21 |
| 发明（设计）人： | 岩城裕司;瀬尾哲史;熊木大介;中島晴惠;小島久味 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H05B33/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 朱黎明 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种发光器件的制造方法，它包括如下步骤：沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室，从而使该基材通过一蒸发护罩的上方，该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔；加热位于该蒸发护罩下方蒸发源中的一种蒸发物质，从而在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时使该蒸发物质从该蒸发护罩的所述开孔中逸出，在所述基材上形成一层含该蒸发物质的发光层；在形成所述发光层的过程中加热该蒸发护罩；所述开孔具有细长的形状，其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光器件的制造方法，它包括如下步骤：沿传递方向将一基材输送进入一个薄膜形成室，从而使该基材通过一蒸发护罩的上方，该蒸发护罩的上部具有至少一个开孔；加热位于该蒸发护罩下方蒸发源中的一种蒸发物质，从而在将该基材输送通过该蒸发护罩上方的同时使该蒸发物质从该蒸发护罩的所述开孔中逸出，在所述基材上形成一层含该蒸发物质的发光层；在形成所述发光层的过程中加热该蒸发护罩；所述开孔具有细长的形状，其细长的方向沿与所述传递方向垂直的第二方向排列。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110101866.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
