[发明专利]一种纳米铋酸银掺杂的二氧化锰电极及其掺杂方法有效
| 申请号： | 201110102306.4 | 申请日： | 2011-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102201566A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 潘军青;王倩;孙艳芝 | 申请（专利权）人： | 北京化工大学 |
| 主分类号： | H01M4/131 | 分类号： | H01M4/131;H01M4/1391 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米铋酸银掺杂的二氧化锰电极及其掺杂方法，通过控制pH值、分散剂、搅拌、超声和温度等条件，将硝酸铋和硝酸银的混合溶液分步和NaOH或者KOH溶液在分散剂作用下进行可控的化学沉淀过程，将新生成的纳米铋酸银颗粒均匀地掺杂到二氧化锰粉体表面及内部，再经离心干燥而成掺杂二氧化锰粉末。采用该掺杂二氧化锰粉末制作而成的碱锰二次电池具有良好的放电性能和80次以上的循环寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 铋酸银 掺杂 二氧化锰 电极 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米铋酸银掺杂的二氧化锰电极及其掺杂方法，其特征是在控制pH、分散剂、搅拌、超声和温度条件下，将硝酸铋和硝酸银的混合溶液分步和碱性NaOH或者KOH溶液在预先经过球磨的二氧化锰粉体表面及内部进行可控的化学沉淀和掺杂过程，再经离心干燥而成掺杂二氧化锰粉末。
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