[发明专利]镶嵌有至少一个金属装饰物的陶瓷元件无效
| 申请号： | 201110102928.7 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102233702A | 公开（公告）日： | 2011-11-09 |
| 发明（设计）人： | P·格罗森巴赫;M·凯劳德;A·奈图希尔 | 申请（专利权）人： | 奥米加股份有限公司 |
| 主分类号： | B32B15/04 | 分类号： | B32B15/04;B32B18/00;B44C1/26 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 秘凤华;吴鹏 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 本发明涉及一种包括陶瓷体部(11)的镶嵌陶瓷元件(10)，该陶瓷体部(11)具有形成用于装饰物(13)的造型的至少一个凹部(12)。根据本发明，所述至少一个凹部被大约50nm的第一和第二导电层(14、15)以及一金属流电镀层(16)完全填充，以便形成具有改进的视觉呈现效果的镶嵌有至少一个金属装饰物(13)的陶瓷元件(10)。本发明还涉及制造镶嵌陶瓷元件的方法。本发明属于带装饰的陶瓷部件领域。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 至少 一个 金属 装饰物 陶瓷 元件 | ||
【主权项】：
一种用于制造镶嵌陶瓷元件(10)的方法(21)，该方法包括以下步骤：a)形成(22)陶瓷体部(11)；b)在陶瓷体部(11)的一个面(F)中蚀刻(23)至少一个凹部(12)，所述至少一个凹部中的每一个形成用于装饰物(13)的造型；c)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(24、25)大约50nm的第一层(14)，d)在包含所述至少一个凹部的整个面(F)上沉积(26)大约50nm的第二导电层(15)，以便覆盖第一层(14)；e)从所述第二导电层(15)流电沉积(27)金属材料(16)，以便完全填充所述至少一个凹部；f)除了所述至少一个凹部的空腔之外，从陶瓷体部(11)的表面去除(28)所有沉积物(14、15、16)。
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