[发明专利]一种或非型闪存的数据擦除方法有效
申请号: | 201110102999.7 | 申请日: | 2011-04-22 |
公开(公告)号: | CN102136295A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 肖军;孔蔚然 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种或非型闪存的数据擦除方法,所述或非型闪存包括多个存储块,每个存储块包含多个扇区,每个扇区包含有标识单元和数据单元,所述擦除方法包括:获取每个扇区中标识单元中记录的默认电压值;将与默认电压值相同的擦除电压施加到相应的扇区上对数据单元进行擦除操作;将校验电压施加于所述扇区,验证所述扇区是否擦除成功,若擦除成功,记录擦除电压和修改次数,若不成功,则修改擦除电压,进行重新擦除。如修改次数超过上限,则判定擦除失败。所述擦除方法有效减少了因过高电压使存储器件产生循环缺陷的问题,提高存储器件的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 闪存 数据 擦除 方法 | ||
【主权项】:
一种或非型闪存的数据擦除方法,所述或非型闪存包括多个存储块,每个存储块包含多个扇区,每个扇区包含有标识单元和数据单元,所述擦除方法包括:1)获取每个扇区中标识单元中记录的默认电压值;2)将与默认电压值相同的擦除电压施加到相应的扇区上对数据单元进行擦除操作;3)将校验电压施加于所述扇区,验证所述扇区是否擦除成功,若擦除成功,则执行步骤4),若擦除不成功,则执行步骤5);4)检测擦除电压是否与默认电压相等,若相等,则结束擦除过程,若不相等,则修改默认电压,使之与擦除电压相等,并记录修改次数,然后结束擦除过程;5)检测修改次数是否达到上限,若否,修改擦除电压,并执行步骤2),若是,则结束擦除过程,并判定擦除失败。
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