[发明专利]基于绝缘体上硅的电子式熔线的制造方法

摘要

本发明提供基于绝缘体上硅的电子式熔线的制造方法，使有源区和电子式熔线区的单晶硅层利用有源区在一道工序中形成，然后形成氧化层和氮化硅层，通过去除电子熔线区顶部的氮化硅层和氧化层，并进一步去除电子式熔线区的部分单晶硅层，有选择性地减薄电子式熔线形成区域单晶硅层的厚度，从而降低熔断电子式熔线的功耗并提高良率。

主权项

基于绝缘体上硅的电子式熔线的制造方法，其特征在于，包括步骤：在绝缘体上硅基底上形成单晶硅层，并图案化所述单晶硅层，以形成有源区和电子式熔线区；在所述有源区和所述电子式熔线区上形成氧化层；形成氮化硅层，所述氮化硅层覆盖所述有源区和所述电子式熔线区；去除所述电子式熔线区顶部的氮化硅层和氧化层；去除所述电子式熔线区的部分单晶硅层；去除剩余的所述氮化硅层和氧化层，保留所述有源区和所述电子式熔线区的单晶硅层；在所述有源区形成栅极，并以所述栅极为掩膜，进行源/漏区的低掺杂离子注入；在所述栅极侧壁、所述有源区的单晶硅层侧壁以及所述电子式熔线区的单晶硅层侧壁形成间隙壁。