[发明专利]自对准多晶硅化物工艺方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201110103325.9 | 申请日： | 2011-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102194741A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 肖海波;时廷 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/306;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准多晶硅化物工艺方法及半导体器件。根据本发明的自对准多晶硅化物工艺方法包括：硅化物沉积步骤，用于在半导体衬底上沉积硅化物；阻止层沉积步骤，用于沉积阻止层；自对准刻蚀步骤，用于对所述阻止层沉积步骤之后得到的结构进行自对准刻蚀；软蚀刻步骤；以及湿法清洗步骤，用于利用刻蚀溶液进行湿法清洗，其中自对准刻蚀之后的软蚀刻步骤对半导体器件进行刻蚀，湿法清洗步骤用非常稀浓度的酸，以在硅衬底中形成一个刻蚀凹部，而对浅沟槽隔离的氧化硅没有损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 多晶 硅化物 工艺 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种自对准多晶硅化物工艺方法，其特征在于包括：硅化物沉积步骤，用于在半导体衬底上沉积硅化物；阻止层沉积步骤，用于沉积阻止层；自对准刻蚀步骤，用于对所述阻止层沉积步骤之后得到的结构进行自对准刻蚀；软蚀刻步骤；以及湿法清洗步骤，用于利用刻蚀溶液进行湿法清洗，其中自对准刻蚀步骤之后的软蚀刻步骤对半导体器件进行刻蚀，湿法清洗步骤用非常稀浓度的酸，以在硅衬底中形成一个刻蚀凹部，而对浅沟槽隔离的氧化硅没有损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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