[发明专利]制造垂直发光器件的方法及用于该发光器件的衬底组件无效
| 申请号： | 201110104619.3 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102479892A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | 张剑平;闫春辉 | 申请（专利权）人： | 亚威朗集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/78;H01L33/20;H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 臧建明 |
| 地址： | 中国香港中环*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 在制造垂直发光器件的方法中，通过在衬底和发光二极管结构的界面进行分离或剥离处形成空隙，利于将衬底从该衬底上形成的发光二极管结构上分离或剥离。一种衬底组件包括衬底和外延层，并且以可控方式在衬底和外延层之间的界面处形成多个空隙。然后，在该外延层上形成发光二极管结构，接着将发光二极管结构附着在一衬顶上，将衬底从外延层上分离，并在原衬底所在处形成导电层和接触电极，从而形成垂直发光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 垂直 发光 器件 方法 用于 衬底 组件 | ||
【主权项】：
一种制造发光器件的方法，包括：制备在顶面具有交替形成的多个凹陷和多个外延生长部分的衬底；在该衬底的顶面上沉积外延层以覆盖但不完全填满所述凹陷，从而在凹陷处形成空隙；在该外延层上形成发光二极管结构；将该发光二极管结构附着在一衬顶上；以及从该外延层上分离该衬底。
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