[发明专利]模拟缓冲电路

摘要

本发明公开了一种模拟缓冲电路，包含p型及n型通道薄膜晶体管。p型通道薄膜晶体管以及n型通道薄膜晶体管各包含源极区、漏极区、栅极层、源极电极以及共用漏极电极，其中源极区以及漏极区两者中间界定了一通道区，p型通道薄膜晶体管以及n型通道薄膜晶体管各自的漏极区基本上彼此相互接触，栅极层形成并绝缘隔离于前述对应的通道区上，源极电极与栅极层绝缘隔离并电性连接至对应的源极区，共用漏极电极与栅极层以及源极电极绝缘隔离并透过界定于空乏区上的通孔电性连接至p型通道薄膜晶体管以及n型通道薄膜晶体管两者的漏极区。

主权项

一种模拟缓冲电路，包括一p型通道薄膜晶体管以及一n型通道薄膜晶体管，其特征在于，该p型通道薄膜晶体管及该n型通道薄膜晶体管中每一者均包含：一源极区及一漏极区，两者间界定出一通道区，该源极区及漏极区形成于一基板上，使该p型通道薄膜晶体管的该漏极区及该n型通道薄膜晶体管的该漏极区相互接触，而界定出一空乏区于该p型通道薄膜晶体管的该漏极区与该n型通道薄膜晶体管的该漏极区接触的一接面；一第一绝缘层，形成于该基板上并覆盖对应的该源极区、该漏极区以及该通道区；一栅极层，形成于该第一绝缘层上，并覆盖对应的该通道区；一第二绝缘层，形成于该第一绝缘层上，并覆盖对应的该栅极层；一源极电极，形成于该第二绝缘层上且电性连接至对应的该源极区；以及一共用漏极电极，形成于该第二绝缘层上而使该共用漏极电极透过一界定于该空乏区之上的通孔，电性连接至该p型通道薄膜晶体管的该漏极区及该n型通道薄膜晶体管的该漏极区。