[发明专利]金属硅化物桥连测试结构、形成方法和测试方法

摘要

本发明公开了一种金属硅化物桥连测试结构、形成方法和测试方法，根据本发明所提供的金属硅化物桥连测试结构，依次在每相邻的两个衬垫之间施加电压，如果两个相邻衬垫之间的电流值大于0，则判定两个相邻衬垫之间的侧壁层之上存在金属硅化物；如果两个相邻衬垫之间的电流值等于0，则判定两个相邻衬垫之间的侧壁层之上不存在金属硅化物。采用本发明的方案能够同时检测金属硅化物是否位于栅极前、后、左和右的侧壁层之上。

主权项

一种金属硅化物桥连测试结构，该结构包括：位于半导体衬底内的第一、二、三、四有源区，所述第一、二、三、四有源区均以隔离区彼此相隔、位于半导体衬底之上的栅极结构，所述栅极结构与所述第一、二、三、四有源区均存在重叠部分、位于半导体衬底之上、且分别位于栅极结构前、后、左、右侧的第一、二、三、四侧壁层，每相邻侧壁层均未相连、覆盖在所述第一、二、三、四有源区之上的金属硅化物，以及覆盖在所述栅极结构之上的金属硅化物、分别与所述第一、二、三、四有源区的金属硅化物相连的第一、二、三、四金属线，所述第一、二、三、四金属线末端分别连接有第一、二、三、四衬垫。