[发明专利]等离子体辅助式化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 201110105158.1 | 申请日： | 2011-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102747340A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 杨国玺;游正义;李晓菁;陈宣任 | 申请（专利权）人： | 英属开曼群岛商精曜有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周长兴 |
| 地址： | 英属开*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 一种等离子体辅助式化学气相沉积装置，包括一制备腔室、一上电极、一下电极以及至少一图案化介质材料装置。上电极与下电极相对设置于制备腔室内，用以产生一等离子体辅助式化学气相沉积反应，以将一薄膜材料沉积于一设置于该下电极上的基板上。图案化介质材料装置设置于下电极上，并与基板的至少一边角相邻设置。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 辅助 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】：
一种等离子体辅助式化学气相沉积装置，包括：一制备腔室；一上电极与一下电极，相对设置于该制备腔室内，用以产生一等离子体辅助式化学气相沉积反应，以将一薄膜材料沉积于一设置于该下电极上的基板上；以及至少一图案化介质材料装置，设置于该下电极上，且该图案化介质材料装置与该基板的至少一边角相邻设置。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
