[发明专利]半导体热处理真空炉热场结构有效
| 申请号： | 201110105436.3 | 申请日： | 2011-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN102184839A | 公开（公告）日： | 2011-09-14 |
| 发明（设计）人： | 韩伶俐 | 申请（专利权）人： | 石金精密科技（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;F27D1/00;F27D11/00 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体热处理真空炉热场结构，包括：热场箱，位于真空炉内，包括箱体及箱盖，箱体一侧开口与箱盖密合，箱体与箱盖均为保温碳毡材料；设置在热场箱底部的炉床；装载台放置在炉床上，包括两侧壁，侧壁上平行设有若干用于放置工件的凹槽；加热器，设置在装载台上方和/或下方，与外部电极连接。本发明通过在热场箱的内壁的保温碳毡表面喷涂耐高温涂料，并在箱体出口的边缘、箱盖和风窗处除了喷涂耐高温涂料外，还包裹一层碳碳复合材料，增强了热场箱的防氧化效果，增加了其使用寿命，提高了保温效果；通过上下设置的加热器中并排设置的加热棒对工件进行均衡加热，不仅缩短加热时间，且提高了热处理效果，减少了能耗，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 热处理 真空炉 结构 | ||
【主权项】：
一种半导体热处理真空炉热场结构，其特征在于，包括：热场箱，位于真空炉内，包括箱体及箱盖，箱体一侧开口与箱盖密合，箱体与箱盖均为保温碳毡材料；炉床，包括四个支撑脚，设置在所述热场箱底部；装载台，放置在所述炉床的支撑脚上，包括两侧壁，所述侧壁上平行设有若干凹槽，该凹槽用于放置搁置工件的平板；加热器，设置在所述装载台上方和/或下方，与外部电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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