[发明专利]硅穿孔结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201110105754.X | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102760710A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 郭建利;林佳芳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅穿孔结构及其形成方法，该硅穿孔结构包括连通晶片的第一面与第二面的穿孔洞、填满穿孔洞的导电层、直接接触并围绕导电层的穿孔洞介电环、直接接触并围绕穿孔洞介电环的第一导电环、以及直接接触并围绕第一导电环又为晶片所围绕的第一介电环。 | ||
| 搜索关键词： | 穿孔 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种硅穿孔结构，包括：晶片，包括第一面与第二面；穿孔洞，连通该第一面与该第二面；导电层，填满该穿孔洞中；穿孔洞介电环，直接接触并围绕该导电层；第一导电环，直接接触并围绕该穿孔洞介电环；以及第一介电环，直接接触并围绕该第一导电环，并为该晶片所围绕。
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