[发明专利]用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法无效
申请号: | 201110106517.5 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN102290484A | 公开(公告)日: | 2011-12-21 |
发明(设计)人: | 敖建平;张超;孙顶;王利;姜韬;孙国忠;周志强;何青 | 申请(专利权)人: | 南开大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C25D3/56;C25D3/54;C23C18/00 |
代理公司: | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人: | 颜济奎 |
地址: | 300071*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法,涉及太阳电池领域的半导体薄膜制备技术。所述的溶液体系,由金属盐、导电盐、有机酸、无机酸和溶剂水组成,各组分在溶液体系的含量为:金属盐0.1~0.5mol/L、导电盐l~4mol/L、有机酸0.5~3mol/L、无机酸0.01~0.1mol/L,用饱和碱性溶液调节pH值到1~6.0。本发明的优点:溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力,使用寿命长,制备方法简单,投资设备小,适合大规模工业化生产,并且使用这种掺杂方法不仅可以使CIGS薄膜晶粒尺寸长大,而且可以有效的使不含Ga的CIS薄膜晶粒尺寸长大。适用于CuInS2、InGaAs等半导体材料。 | ||
搜索关键词: | 用于 制备 太阳电池 半导体 薄膜 sb 溶液 体系 方法 | ||
【主权项】:
一种用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系,其特征在于,利用电沉积或化学水浴的方法将锑合金、金属锑及其化合物掺入CIS/CIGS薄膜制备的各个环节当中,其中锑在组分中的摩尔比例为0.1%~4%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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