[发明专利]用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法无效

专利信息
申请号: 201110106517.5 申请日: 2011-04-27
公开(公告)号: CN102290484A 公开(公告)日: 2011-12-21
发明(设计)人: 敖建平;张超;孙顶;王利;姜韬;孙国忠;周志强;何青 申请(专利权)人: 南开大学
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C25D3/56;C25D3/54;C23C18/00
代理公司: 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 代理人: 颜济奎
地址: 300071*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系及制备方法,涉及太阳电池领域的半导体薄膜制备技术。所述的溶液体系,由金属盐、导电盐、有机酸、无机酸和溶剂水组成,各组分在溶液体系的含量为:金属盐0.1~0.5mol/L、导电盐l~4mol/L、有机酸0.5~3mol/L、无机酸0.01~0.1mol/L,用饱和碱性溶液调节pH值到1~6.0。本发明的优点:溶液体系具有良好的覆盖能力和分散能力,使用寿命长,制备方法简单,投资设备小,适合大规模工业化生产,并且使用这种掺杂方法不仅可以使CIGS薄膜晶粒尺寸长大,而且可以有效的使不含Ga的CIS薄膜晶粒尺寸长大。适用于CuInS2、InGaAs等半导体材料。
搜索关键词: 用于 制备 太阳电池 半导体 薄膜 sb 溶液 体系 方法
【主权项】:
一种用于制备太阳电池的半导体薄膜的含Sb溶液体系,其特征在于,利用电沉积或化学水浴的方法将锑合金、金属锑及其化合物掺入CIS/CIGS薄膜制备的各个环节当中,其中锑在组分中的摩尔比例为0.1%~4%。
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