[发明专利]发光二极管封装结构无效
| 申请号： | 201110106766.4 | 申请日： | 2011-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102760817A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 蔡明达;陈靖中 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L25/075 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种发光二极管封装结构，其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组。所述第一发光模组包括多个第一发光二极管，所述第二发光模组包括多个第二发光二极管。所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置，并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。本发明的发光二极管封装结构通过将高出光强度的发光二极管围绕低出光强度的发光二极管设置，避免传统发光二极管封装结构的中间出光强度高，边缘出光强度低的现象，使整个发光二极管封装结构出光均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管封装结构，其包括基板及设置在基板上的第一发光模组和第二发光模组，所述第一发光模组包括多个第一发光二极管，所述第二发光模组包括多个第二发光二极管，其特征在于：所述多个第二发光二极管围绕所述多个第一发光二极管设置，并且所述第二发光二极管的出光强度大于所述第一发光二极管的出光强度。
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